Группой ученых, состоящей из исследователей, представляющих японский Национальный институт науки и передовой технологии, университет Нагои и ассоциацию LEAP, были созданы образцы TRAM для опытных испытаний. TRAM – это топологическая память, новый тип памяти, основанный на фазовых переходах. Для его изготовления использовались кристаллические решетки, имеющие сложный сплав GeTe/Sb2Te3.

Помимо этого, новому типу образцов памяти удалось продемонстрировать крайне высокий уровень эффективности для энергетической сферы. А значит, это возможно приведет к разработке высокоскоростного оборудования для хранения информации, вроде SSD-дисков, которые для осуществления своей работы потребляют совсем незначительную энергию.

При использовании первого опытного образца топологической памяти, и после проведения анализа структуры кристаллических решеток, содержащихся в ее составе, для чего, кстати, был использован электронный микроскоп, исследователям удалось оптимизировать структуры в ячейках памяти, благодаря чему были улучшены некоторые их характеристики по сравнению с образцами предыдущего поколения. В качестве ключа для данных изменений, эксперты решили использовать новую структуру кристаллических решеток, основанных на расчетных моделях перемещений атома германия. Перемещению атомов германия требуется незначительное количество энергии.

Используя данный подход, было зафиксировано снижение рабочего напряжения до 0, 70 Вольт, то есть на 30%, а также рабочего тока до 55 мкА, или на 50%, по отношению к аналогичным характеристикам ячеек топологической памяти первого поколения. Также в четыре раза удалось уменьшить значение токов стираний и записей, за счет чего существенно поднялись скорости записи и снизились расходы энергии при записи и стирании.